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IEC 60747-8-2 Ed. 1.0 Bilingual

Norma IEC 60747-8-2 Ed. 1.0 Bilingual
EspañolTítulo Dispositivos de semiconductor - dispositivos Discretos - la Parte 8: Transistores de efecto de campaña - Sección dos: Especificación de detalle en blanco para transistores de efecto de campaña para usos de amplificador de poder nominales de caso
InglesTítulo en Ingles Semiconductor devices - Discrete devices - Part 8: Field-effect transistors - Section two: Blank detail specification for field-effect transistors for case-rated power amplifier applications
FrancesTítulo en Frances Dispositifs à semiconducteurs - Dispositifs discrets - Partie 8: Transistors à effet de champ - Section deux: Spécification particulière cadre pour les transistors à effet de champ à température de boîtier spécifiée pour applications en amplificateurs de puissance
EspañolDescripción
InglesDescripción en Ingles
FrancesDescripción en Frances
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Fecha de publicación 15/02/1993
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  2. IEC 60747-8-3 Ed. 1.0 Bilingual Dispositivos de semiconductor - dispositivos Discretos - la Parte 8: Transistores de efecto de campaña - la Sección 3: Especificación de detalle en blanco para transistores de efecto nominales de caso de campaña para cambiar usos
  3. IEC 60747-8-4 Ed. 1.0 Bilingual Dispositivos de semiconductor discretos - la Parte 8-4: Transistores de efecto de campaña de semiconductor de óxido metálico (MOSFETs) para poder que cambia usos
  4. EN 150012:1991 Especificación de Detalle En blanco: Transistores de efecto de campaña de puerta solos
  5. EN 150003:1991 Especificación de Detalle En blanco: Transistores nominales de caso bipolares para amplificación de frecuencia baja
  6. EN 150007:1991 Especificación de Detalle En blanco: Transistores nominales de caso bipolares para alta amplificación de frecuencia
  7. UNE 20700-11:1991 Dispositivos semiconductores. Dispositivos discretos. Especificación intermedia para los dispositivos discretos.

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